RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2091
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link