RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3323
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link