RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3242
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link