RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2288
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link