RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2570
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link