RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3256
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link