RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
63
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2543
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link