RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2687
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link