RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2947
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link