RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3310
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link