RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
46
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
44
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2727
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link