A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 54
    Wokół strony 15% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 2,061.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 54
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,937.3 left arrow 10.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,061.2 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    759 left arrow 2176
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania