RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2717
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link