RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2904
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link