RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2381
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link