RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3610
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link