RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
90
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
90
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1743
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link