RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2853
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link