RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5316G1609U2K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
101
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
6.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
101
Prędkość odczytu, GB/s
6.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1309
1313
AMD R5316G1609U2K 8GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link