RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2055
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Inmos + 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link