RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2789
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link