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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
14.7
16.7
写入速度,GB/s
9.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2789
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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