RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
26
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
26
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3648
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link