RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
33
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
33
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3285
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link