RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
2266
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link