RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
22
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
22
Prędkość odczytu, GB/s
18.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3189
3075
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link