RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
64
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
64
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
1909
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link