RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2575
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link