RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2575
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link