RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2575
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link