Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 54

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.5 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 47
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 11.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 2793

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

модули RAM