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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
54
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
47
读取速度,GB/s
9.2
11.5
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2793
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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