RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
76
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
76
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
1859
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link