RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2634
1660
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link