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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
44
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2634
1660
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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