RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
2824
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link