RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
61
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2025
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link