RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
61
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
61
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2025
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link