RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
86
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
86
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
1658
AMD R5S38G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link