RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,131.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,710.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,131.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2481
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link