RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,131.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,710.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,131.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2046
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link