RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2050
3192
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link