RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
53
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3317
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link