RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3041
3017
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link