RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
3792
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link