RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
80
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
80
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
1775
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link