RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
47
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
41
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2813
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link