RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
92
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2261
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link