RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 11.9
    テスト平均値
Kingston 9905630-039.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 92
    周辺 -92% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 2261

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM