RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
47
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
1777
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link